半導體封裝材料TSDC測試系統(tǒng)

熱刺激理論是在介質(zhì)物理的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，研究這一理論的方法即熱刺激法比較簡單實用而且又能較準確地測量出某些物質(zhì)（如電介質(zhì)、絕緣材料、半導體、駐極體等）的微觀參數(shù)，熱刺激法是一面對材料升溫一面進行測量，即非等溫測量。由于材料（例如介電材料）中的荷電粒子的微觀參數(shù)（如活化能h、松弛時間τ等）不同，用熱刺激法就很容易將材料中的各種不同h或τ的荷電粒子分離開來，從而求出各自的參數(shù)。因為熱刺激電流與材料的這些參數(shù)（如h與τ）密切相關(guān)，故它是一種研究介電材料、絕緣材料、半導體材料等的有效手段。tsc是指當樣品受到電場極化后，去掉電場，熱激時，樣品從極化態(tài)轉(zhuǎn)變到平衡態(tài)的過程中，在外電路中得到的電流，稱為熱激退極化電流。

一個系統(tǒng)就可以進行塊體陶瓷材料的熱激發(fā)極化電流TSDC、電阻和鐵電進行綜合評價，設(shè)備可以遠程接入華測遠程服務(wù)平臺，可針對用戶應用和要求的硬件升級服務(wù)，對用戶遠程指導及技術(shù)支持

特點：

支持的硬件：

內(nèi)置或外置的高壓放大器（+/-100V到+/-10 kV）

塊體陶瓷樣品夾具

溫度控制器和溫度腔

測試功能：

熱釋電測試

漏電流測試

疲勞測試

用戶定義激勵波形

半導體封裝材料TSDC測試系統(tǒng)系統(tǒng)原理：

介質(zhì)材料在受熱過程中建立極化態(tài)或解除極化態(tài)時所產(chǎn)生的短路電流。基本方法是將試樣夾在兩電極之間，加熱到一定溫度使樣品中的載流子激發(fā)，然后施加一個直流的極化電壓，經(jīng)過一段時間使樣品充分極化，以便載流子向電極漂移或偶極子充分取向，隨后立即降溫到低溫，使各類極化“凍結(jié)"，然后以等速率升溫，同時記錄試樣經(jīng)檢流計短路的去極化電流隨溫度的變化關(guān)系，即得到TSDC譜“凍結(jié)"，然后以等速率升溫，同時記錄試樣經(jīng)檢流計短路的去極化電流隨溫度的變化關(guān)系，即得到TSDC譜

系統(tǒng)應用：

廣泛應用于電力、絕緣、生物分子等領(lǐng)域，用于研究材料的一些關(guān)鍵因素，諸如分子弛豫、相轉(zhuǎn)變、玻璃化溫度等等，通過TSDC技術(shù)也可以比較直觀的研究材料的弛豫時間、活化能等相關(guān)的介電特性。TSDC技術(shù)也可以比較直觀的研究材料的弛豫時間、活化能等相關(guān)的介電特性。

主要技術(shù)參數(shù)：

極化電壓：±0-10kV（最大電壓）

極化電流：10fA~20mA

控溫精度：±0.5℃

測量精度：0.05%

升降溫速率快：0.01~ 30 ℃/min

溫度范圍寬：- 185 ~ 500 ℃

升降溫速率快：(0.01 ~ 30)℃/min

多種獨立變量：溫度、極化電壓、極化時間、升降溫速率等

多種測量模式：

熱激勵去極化、熱激勵極化、等溫極化時域、等溫電導率時域、等溫弛豫譜等

多種測量參數(shù)：樣品電流、電流密度、電荷變化、介電常數(shù)變化等

通訊：USB接口