半導體封裝材料高壓TSDC測試系統(tǒng)

半導體封裝材料高壓TSDC測試系統(tǒng)產(chǎn)品介紹：

研究前景：

環(huán)氧塑封料（EMC， Epoxy Molding Compound）是用于半導體封裝的一種熱固性化學材料，是由環(huán)氧樹脂為基體 樹脂，以高性能酚醛樹脂為固化劑，加入硅微粉等為填料，以及添加多種助劑混配而成的粉狀模塑料，為后道封裝的主要原材料之一，目前95%以上的微電子器件都是環(huán)氧塑封器件。環(huán)氧塑封料具有保護芯片不受外界環(huán)境的影響，抵抗外部溶劑、濕氣、沖擊，保證芯片與外界環(huán)境電絕緣等功能。環(huán)氧塑封料對高功率半導體器件的高溫反向偏壓（HTRB）性能有重要控制作用。

產(chǎn)品概述：

熱刺激去極化電流（TSDC）技術用于預測EMC的HTRB性能。TSDC方法包括極化過程，在該過程中，電介質樣品暴露在高電場強度和高溫環(huán)境下。在這種情況下，電荷被分離并在介電材料電子元件中移動。盡管單個TSDC信號和HTRB性能之間的相關性表明，極化峰值越

高，TSDC曲線越大，而HTRB性能越差，但這并不能wanquan解釋EMC在發(fā)出強放電信號時的某些故障。因此，弛豫時間是解釋外層HTRB失效樣本的另一個關鍵參數(shù)。

關于環(huán)氧塑封料（EMC， Epoxy Molding Compound）TSDC測試技術，為華測公司在國內最早提及目前已被廣泛應用到更多的半導體封裝材料及半導體生產(chǎn)研發(fā)企業(yè)。已證明此測試方式是有效的，同時加速國產(chǎn)化IGBT、MOSFET等功率器件的研發(fā)。如無錫凱華、中科科化、飛凱材料等企業(yè)。

應用場景：

材料研發(fā)與性能評估：介電材料研究、絕緣材料評估、半導體材料分析；電子元器件與封裝技術：元器件可靠性測試、封裝材料選擇、封裝工藝優(yōu)化；電力與能源領域：電力設備絕緣監(jiān)測、儲能材料研究；其他領域：生物分子材料研究、環(huán)境監(jiān)測與保護；半導體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統(tǒng)在材料研發(fā)、電子元器件與封裝技術、電力與能源領域以及其他多個領域都具有廣泛的應用前景。隨著技術的不斷發(fā)展，TSDC測試系統(tǒng)將在更多領域發(fā)揮重要作用。

產(chǎn)品原理：

TSDC是一種研究電荷存儲特性的實驗技術，用于確定初始電荷和捕獲電荷的活化能以及弛豫，該方法包括一個極化過程，其中介電樣品在高溫下暴露于高電場強度下。在此之后，試樣在外加電場的作用下迅速進行冷卻。以這種方式，電荷被分離并固定在介電材料駐極體內。然后進行升溫將駐極體內的電荷進行釋放，同時配合測量儀器進行測量，并為科研人員進行分析。通過TSDC測試方法研究了EMC對功率半導體HTRB可靠性的影響，了解到EMC在高溫、高壓條件下會發(fā)生電極化或電取向。此外，依賴于在相應的冷卻環(huán)境中維持其極化狀態(tài)，它會干擾MOS-FET半導體中反轉層的正常形成。通過TSDC試驗，我們還了解了在可靠性測試中由于應用條件而導致的材料內部極化電荷的數(shù)量也是一個重要的影響因素。

1、消除電網(wǎng)諧波對采集精度的影響

在超高阻、弱信號測量過程中、輸入偏置電流和泄漏電流都會引起測量誤差。同時電網(wǎng)中大量使用變頻器等高頻、高功率設備，將對電網(wǎng)造成諧波干擾。以致影響弱信號的采集，華測儀器公司推出的抗干擾模塊以及用新測試分析技術,實現(xiàn)了高達1fA(10-15 A)的測量分辨率,從而滿足了很多半導體,功能材料和納米器件的測試需求。

2、消除不規(guī)則輸入的自動平均值功能,更強數(shù)據(jù)處理及內部屏蔽

自動平均值是檢測電流的變化，并自動將其進行平均化的功能， 在查看測量結果的同時不需要改變設置。通過自動排除充電電流的過渡響應時或接觸不穩(wěn)定導致偏差較大。電流輸入端口全新采用大口徑三軸連接器，是將內部屏蔽連接至GUARD(COM)線，外部屏蔽連接至GROUND的3層同軸設計。兼顧抗干擾的穩(wěn)定性和高壓檢查時的安全性。

3、更強大的操作軟件

測試系統(tǒng)的軟件平臺 Huacepro ，基于labview系統(tǒng)開發(fā)，符合功能材料的各項測試需求，具備強大的穩(wěn)定性與操作安全性，并具備斷電資料的保存功能，圖像資料也可保存恢復。支持新的國際標準，兼容XP、win7、win10系統(tǒng)。

4、更強大的硬件配置

5、可擴展的測量模式

產(chǎn)品曲線：

產(chǎn)品參數(shù)：

設備型號：HC-TSC

溫度范圍：-185 ~ 600°C

控溫精度：±0.25°C

升溫斜率：10°C/min（可設定）

測試頻率：最大電壓：±10kV

加熱方式：直流電極加熱

冷卻方式：水冷

樣品尺寸：φ＜25mm，d＜4mm

電極材料：黃銅或銀;

夾具輔助材料 ：99氧化鋁陶瓷

低溫制冷：液氮

測試功能 ：TSDC

數(shù)據(jù)傳輸：RS-232  

設備尺寸 ：180 x 210 x 50mm